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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY240.120 (CNY271.3356)5+ CNY213.910 (CNY241.7183)10+ CNY187.700 (CNY212.101)50+ CNY150.140 (CNY169.6582)100+ CNY112.580 (CNY127.2154)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 60A | 650V | 0.049ohm | TO-247 | 3引脚 | 18V | 4V | 395W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY380.770 (CNY430.2701)5+ CNY339.250 (CNY383.3525)10+ CNY297.710 (CNY336.4123)50+ CNY238.130 (CNY269.0869)100+ CNY178.550 (CNY201.7615)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 67A | 1.7kV | 0.049ohm | TO-247 | 3引脚 | 18V | 4V | 357W | 175°C | |||||
