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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 10+ CNY40.030 (CNY45.2339)100+ CNY32.340 (CNY36.5442)500+ CNY28.760 (CNY32.4988)1000+ CNY24.650 (CNY27.8545) | 最少：10 / 多个：1 | - | - | 43A | 400V | 0.0562ohm | - | 8引脚 | 18V | 5.6V | 150W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 100+ CNY30.920 (CNY34.9396)500+ CNY27.640 (CNY31.2332)1000+ CNY23.380 (CNY26.4194) | 最少：100 / 多个：1 | - | - | 43A | 400V | 0.0562ohm | - | 7引脚 | 18V | 5.6V | 150W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY54.140 (CNY61.1782)10+ CNY40.030 (CNY45.2339)100+ CNY32.340 (CNY36.5442)500+ CNY28.760 (CNY32.4988)1000+ CNY24.650 (CNY27.8545) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 43A | 400V | 0.0562ohm | HSOF | 8引脚 | 18V | 5.6V | 150W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY52.130 (CNY58.9069)10+ CNY38.160 (CNY43.1208)100+ CNY30.920 (CNY34.9396)500+ CNY27.640 (CNY31.2332)1000+ CNY23.380 (CNY26.4194) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 43A | 400V | 0.0562ohm | TO-263 | 7引脚 | 18V | 5.6V | 150W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
