碳化硅(SiC)MOSFET和模块:

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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
2317992

RoHS

每个
1+
CNY3,807.350
(CNY4,302.3055)
最少:1 / 多个:1
半桥
N通道
87A
1.2kV
0.025ohm
Module
20引脚
20V
2.3V
337W
150°C
2630834

RoHS

每个
1+
CNY7,489.830
(CNY8,463.5079)
最少:1 / 多个:1
半桥
双N通道
404A
1.2kV
0.005ohm
Module
-
20V
2.3V
1.66kW
150°C
2449318

RoHS

每个
1+
CNY9,126.180
(CNY10,312.5834)
最少:1 / 多个:1
半桥
双N通道
325A
1.7kV
0.008ohm
Module
7引脚
20V
2.3V
1.76kW
150°C
1-3 项,共 3 项
,共 1 页

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