碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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采购
工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY3,807.350 (CNY4,302.3055) | 最少:1 / 多个:1 | 半桥 | N通道 | 87A | 1.2kV | 0.025ohm | Module | 20引脚 | 20V | 2.3V | 337W | 150°C | |||||
每个 | 1+ CNY7,489.830 (CNY8,463.5079) | 最少:1 / 多个:1 | 半桥 | 双N通道 | 404A | 1.2kV | 0.005ohm | Module | - | 20V | 2.3V | 1.66kW | 150°C | |||||
每个 | 1+ CNY9,126.180 (CNY10,312.5834) | 最少:1 / 多个:1 | 半桥 | 双N通道 | 325A | 1.7kV | 0.008ohm | Module | 7引脚 | 20V | 2.3V | 1.76kW | 150°C |