碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY178.640 (CNY201.8632)5+ CNY156.310 (CNY176.6303)10+ CNY129.510 (CNY146.3463)50+ CNY116.120 (CNY131.2156)100+ CNY107.190 (CNY121.1247)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 29A | 1.2kV | 0.08ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 2.75V | 170W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
每个 | 1+ CNY88.630 (CNY100.1519)5+ CNY70.790 (CNY79.9927)10+ CNY52.940 (CNY59.8222)50+ CNY51.980 (CNY58.7374)100+ CNY51.030 (CNY57.6639)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 29A | 1.2kV | 0.08ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 2.75V | 170W | 175°C | EliteSiC Series |