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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY312.100 (CNY352.673)25+ CNY287.770 (CNY325.1801)100+ CNY250.440 (CNY282.9972) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 68A | 1.7kV | 0.035ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 3.25V | 370W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY39.960 (CNY45.1548)25+ CNY32.100 (CNY36.273) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 7A | 1.7kV | 0.75ohm | TO-247 | 3引脚 | 20V | 3.25V | 68W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY297.970 (CNY336.7061)25+ CNY274.760 (CNY310.4788)100+ CNY239.140 (CNY270.2282) | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 68A | 1.7kV | 0.035ohm | TO-247 | 3引脚 | 20V | 3.25V | 370W | 175°C | |||||
