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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY3,807.350 (CNY4,302.3055) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥 | N通道 | 87A | 1.2kV | 0.025ohm | Module | 20引脚 | 20V | 2.3V | 337W | 150°C | |||||
每个 | 1+ CNY1,424.010 (CNY1,609.1313)5+ CNY1,353.150 (CNY1,529.0595)10+ CNY1,282.290 (CNY1,448.9877) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥模块 | 双N通道 | 149A | 900V | 0.01003ohm | Module | 20引脚 | 15V | 4.3V | 352W | 175°C | |||||
