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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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工程师
制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY119.390 (CNY134.9107)10+ CNY105.260 (CNY118.9438)25+ CNY103.680 (CNY117.1584)50+ CNY100.480 (CNY113.5424)100+ CNY90.980 (CNY102.8074)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 38A | 650V | 0.06ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 18V | 5.6V | 159W | 175°C | |||||
每个 | 1+ CNY135.600 (CNY153.228)5+ CNY119.590 (CNY135.1367)10+ CNY103.570 (CNY117.0341)50+ CNY101.490 (CNY114.6837)100+ CNY99.420 (CNY112.3446)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 30A | 1.2kV | 0.08ohm | TO-263 (D2PAK) | 7引脚 | 18V | 5.6V | 159W | 175°C | |||||
