碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY147.920 (CNY167.1496)5+ CNY147.290 (CNY166.4377)10+ CNY146.670 (CNY165.7371)50+ CNY146.050 (CNY165.0365)100+ CNY145.430 (CNY164.3359)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 53A | 1.2kV | 30mohm | TO-247 | 4引脚 | 12V | 6V | 341W | 175°C | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY70.620 (CNY79.8006)50+ CNY65.430 (CNY73.9359)100+ CNY60.230 (CNY68.0599)250+ CNY59.020 (CNY66.6926) | 最少:10 / 多个:1 | - | - | 111A | 400V | 0.0191ohm | - | 7引脚 | 18V | 5.6V | 341W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
每个 | 1+ CNY130.970 (CNY147.9961)5+ CNY113.690 (CNY128.4697)10+ CNY96.410 (CNY108.9433)50+ CNY96.250 (CNY108.7625)100+ CNY86.170 (CNY97.3721)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 103A | 650V | 0.0132ohm | TO-247 | 4引脚 | 20V | 5.6V | 341W | 175°C | CoolSiC Gen 2 Series | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY90.050 (CNY101.7565)5+ CNY78.850 (CNY89.1005)10+ CNY67.650 (CNY76.4445)50+ CNY64.710 (CNY73.1223)100+ CNY61.990 (CNY70.0487)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 111A | 400V | 0.0191ohm | HSOF | 8引脚 | 18V | 5.6V | 341W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY82.410 (CNY93.1233)5+ CNY76.520 (CNY86.4676)10+ CNY70.620 (CNY79.8006)50+ CNY65.430 (CNY73.9359)100+ CNY60.230 (CNY68.0599)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 111A | 400V | 0.0191ohm | TO-263 | 7引脚 | 18V | 5.6V | 341W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY67.650 (CNY76.4445)50+ CNY64.710 (CNY73.1223)100+ CNY61.990 (CNY70.0487)250+ CNY59.070 (CNY66.7491) | 最少:10 / 多个:1 | - | - | 111A | 400V | 0.0191ohm | - | 8引脚 | 18V | 5.6V | 341W | 175°C | CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 | |||||
每个 | 1+ CNY132.760 (CNY150.0188)5+ CNY111.140 (CNY125.5882)10+ CNY89.530 (CNY101.1689)50+ CNY86.580 (CNY97.8354)100+ CNY83.630 (CNY94.5019)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 单 | N通道 | 93A | 650V | 0.0132ohm | TO-247 | 3引脚 | 20V | 5.6V | 341W | 175°C | CoolSiC Gen 2 Series |