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碳化硅(SiC)MOSFET和模块:
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制造商
MOSFET模块配置
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
针脚数
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY124.100 (CNY140.233)5+ CNY117.500 (CNY132.775)10+ CNY110.900 (CNY125.317)50+ CNY104.300 (CNY117.859)100+ CNY97.700 (CNY110.401)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 单 | N通道 | 68A | 1.2kV | 0.022ohm | TO-247 | 4引脚 | 18V | 2.72V | 352W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
每个 | 20+ CNY1,767.280 (CNY1,997.0264) | 最少：20 / 多个：20 | - | - | - | - | 0.01003ohm | - | - | - | 4.3V | 352W | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY1,424.010 (CNY1,609.1313)5+ CNY1,353.150 (CNY1,529.0595)10+ CNY1,282.290 (CNY1,448.9877) | 最少：1 / 多个：1 | 半桥模块 | 双N通道 | 149A | 900V | 0.01003ohm | Module | 20引脚 | 15V | 4.3V | 352W | 175°C | - | |||||
