478A 单MOSFET:
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通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY33.600 (CNY37.968)10+ CNY22.260 (CNY25.1538)50+ CNY19.020 (CNY21.4926)100+ CNY15.760 (CNY17.8088)250+ CNY15.540 (CNY17.5602) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 40V | 478A | 800µohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 2.4V | 375W | 7引脚 | 175°C | StrongIRFET | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY25.260 (CNY28.5438)10+ CNY17.500 (CNY19.775)100+ CNY12.230 (CNY13.8199)500+ CNY10.770 (CNY12.1701)1000+ CNY10.550 (CNY11.9215) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 30V | 478A | 570µohm | PowerPAK SO | 表面安装 | 10V | 2.2V | 208W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.230 (CNY13.8199)500+ CNY10.840 (CNY12.2492)1000+ CNY10.550 (CNY11.9215) | 最少:100 / 多个:1 | N通道 | 30V | 478A | 570µohm | PowerPAK SO | 表面安装 | 10V | 2.2V | 208W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY15.760 (CNY17.8088)250+ CNY15.540 (CNY17.5602) | 最少:100 / 多个:1 | N通道 | 40V | 478A | 800µohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 2.4V | 375W | 7引脚 | 175°C | StrongIRFET | |||||

