单MOSFET:
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工程师
制造商
通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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单件(切割供应) 复卷 | 500+ CNY13.160 (CNY14.8708)1000+ CNY12.710 (CNY14.3623) | 最少:500 / 多个:1 | N通道 | 40V | 201A | 740µohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 3.4V | 375W | 3引脚 | 175°C | StrongIRFET 2 Series | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY28.230 (CNY31.8999)10+ CNY19.870 (CNY22.4531)100+ CNY13.600 (CNY15.368)500+ CNY13.160 (CNY14.8708)1000+ CNY12.710 (CNY14.3623) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 40V | 201A | 740µohm | TO-263 (D2PAK) | 表面安装 | 10V | 3.4V | 375W | 3引脚 | 175°C | StrongIRFET 2 Series |