单MOSFET:
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工程师
制造商
通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY121.760 (CNY137.5888)5+ CNY116.170 (CNY131.2721)10+ CNY110.580 (CNY124.9554)50+ CNY106.900 (CNY120.797) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 600V | 64A | 0.1ohm | TO-264 | 通孔 | 10V | 5V | 1.13kW | 3引脚 | 150°C | Polar3 HiPerFET | |||||
每个 | 1+ CNY164.390 (CNY185.7607) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 500V | 78A | 0.068ohm | TO-264 | 通孔 | 10V | 5V | 1.13kW | 3引脚 | 150°C | Polar3 HiPerFET |