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DRAM类型
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DRAM密度
电源电压最小值
数据总线宽度
电源电压最大值
MCP类型
集成电路封装类型
NAND / NOR 密度
IC 外壳 / 封装
针脚数
二级总线宽度
额定电源电压
时钟频率最大值
芯片安装
工作温度最小值
工作温度最高值
包装
未使用筛选条件
0 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY153.420 (CNY173.3646)10+ CNY147.180 (CNY166.3134)25+ CNY138.340 (CNY156.3242)50+ CNY136.430 (CNY154.1659)100+ CNY134.460 (CNY151.9398) | DDR | HyperBus MCP存储器 | 64Mbit | 1.7V | 8位 | 1.95V | 基于 NOR 的 MCP | FBGA | 512Mbit | FBGA | 24引脚 | 8位 | 1.7V | 166MHz | 表面安装 | -40°C | 105°C | ||||||
每个 | 1+ CNY163.660 (CNY184.9358)10+ CNY154.610 (CNY174.7093)25+ CNY151.490 (CNY171.1837)50+ CNY149.200 (CNY168.596)100+ CNY146.850 (CNY165.9405) | DDR | - | 64Mbit | - | 8位 | - | - | - | 256Mbit | FBGA | 24引脚 | - | 3V | 100MHz | 表面安装 | -40°C | 105°C | ||||||
