EiceDRIVER 1EDI 栅极驱动器:
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产品范围
包装
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比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||
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INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY10.160 (CNY11.4808)10+ CNY7.250 (CNY8.1925)50+ CNY6.980 (CNY7.8874)100+ CNY6.700 (CNY7.571)250+ CNY6.440 (CNY7.2772)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 115ns | 120ns | EiceDRIVER 1EDI | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY19.050 (CNY21.5265)10+ CNY17.070 (CNY19.2891)50+ CNY15.420 (CNY17.4246)100+ CNY13.760 (CNY15.5488)250+ CNY12.910 (CNY14.5883)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY8.590 (CNY9.7067)10+ CNY6.690 (CNY7.5597)50+ CNY6.490 (CNY7.3337)100+ CNY6.290 (CNY7.1077)250+ CNY6.030 (CNY6.8139)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY9.270 (CNY10.4751)10+ CNY6.820 (CNY7.7066)50+ CNY6.430 (CNY7.2659)100+ CNY6.030 (CNY6.8139)250+ CNY5.840 (CNY6.5992)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.700 (CNY7.571)250+ CNY6.440 (CNY7.2772)500+ CNY6.250 (CNY7.0625)1000+ CNY6.040 (CNY6.8252)2500+ CNY5.700 (CNY6.441) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 115ns | 120ns | EiceDRIVER 1EDI | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.030 (CNY6.8139)250+ CNY5.840 (CNY6.5992)500+ CNY5.730 (CNY6.4749)1000+ CNY5.700 (CNY6.441) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.290 (CNY7.1077)250+ CNY6.030 (CNY6.8139)500+ CNY5.860 (CNY6.6218)1000+ CNY5.840 (CNY6.5992)2500+ CNY5.820 (CNY6.5766) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | DSO | 表面安装 | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY13.760 (CNY15.5488)250+ CNY12.910 (CNY14.5883)500+ CNY11.310 (CNY12.7803)1000+ CNY9.880 (CNY11.1644) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY13.300 (CNY15.029)250+ CNY12.280 (CNY13.8764)500+ CNY11.460 (CNY12.9498)1000+ CNY11.280 (CNY12.7464)2500+ CNY11.080 (CNY12.5204) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY20.450 (CNY23.1085)10+ CNY17.900 (CNY20.227)50+ CNY14.830 (CNY16.7579)100+ CNY13.300 (CNY15.029)250+ CNY12.280 (CNY13.8764)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY11.650 (CNY13.1645)250+ CNY11.060 (CNY12.4978)500+ CNY10.680 (CNY12.0684)1000+ CNY10.390 (CNY11.7407)2500+ CNY10.080 (CNY11.3904) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY18.460 (CNY20.8598)10+ CNY12.630 (CNY14.2719)50+ CNY12.140 (CNY13.7182)100+ CNY11.650 (CNY13.1645)250+ CNY11.060 (CNY12.4978)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1EDI |