栅极驱动器:
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产品范围
包装
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1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.140 (CNY2.4182)500+ CNY2.040 (CNY2.3052)1000+ CNY2.000 (CNY2.260)2500+ CNY1.950 (CNY2.2035)5000+ CNY1.900 (CNY2.147) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | - | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 2EDN753x系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY15.320 (CNY17.3116)250+ CNY14.500 (CNY16.385)500+ CNY13.970 (CNY15.7861)1000+ CNY13.520 (CNY15.2776) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY15.320 (CNY17.3116)250+ CNY14.500 (CNY16.385)500+ CNY13.970 (CNY15.7861)1000+ CNY13.520 (CNY15.2776) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.970 (CNY4.4861)500+ CNY3.900 (CNY4.407)1000+ CNY3.830 (CNY4.3279)2500+ CNY3.760 (CNY4.2488)5000+ CNY3.680 (CNY4.1584) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.390 (CNY7.2207)250+ CNY5.970 (CNY6.7461)500+ CNY5.280 (CNY5.9664)1000+ CNY4.170 (CNY4.7121) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 非反向 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.140 (CNY3.5482)500+ CNY3.000 (CNY3.390)1000+ CNY2.930 (CNY3.3109)2500+ CNY2.860 (CNY3.2318)5000+ CNY2.780 (CNY3.1414) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 非反向 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.140 (CNY2.4182)500+ CNY2.040 (CNY2.3052)1000+ CNY2.000 (CNY2.260)2500+ CNY1.950 (CNY2.2035)5000+ CNY1.900 (CNY2.147) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 2EDN753x系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.140 (CNY2.4182)500+ CNY2.040 (CNY2.3052)1000+ CNY2.000 (CNY2.260)2500+ CNY1.950 (CNY2.2035)5000+ CNY1.900 (CNY2.147) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 4A | 4A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 2EDN743x系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY15.320 (CNY17.3116)250+ CNY14.500 (CNY16.385)500+ CNY13.970 (CNY15.7861)1000+ CNY13.520 (CNY15.2776) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 | 100+ CNY4.370 (CNY4.9381)500+ CNY4.340 (CNY4.9042)1000+ CNY3.980 (CNY4.4974)2500+ CNY3.510 (CNY3.9663)5000+ CNY3.450 (CNY3.8985) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 反相 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.140 (CNY2.4182)500+ CNY2.040 (CNY2.3052)1000+ CNY2.000 (CNY2.260)2500+ CNY1.950 (CNY2.2035)5000+ CNY1.900 (CNY2.147) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 2EDN853x系列 | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.140 (CNY2.4182)500+ CNY2.040 (CNY2.3052)1000+ CNY2.000 (CNY2.260)2500+ CNY1.950 (CNY2.2035)5000+ CNY1.900 (CNY2.147) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DSO | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 5A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 19ns | 19ns | EiceDRIVER 2EDN853x系列 |