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高压侧，低压侧，半桥 栅极驱动器:
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY33.500 (CNY37.855)10+ CNY25.480 (CNY28.7924)25+ CNY23.450 (CNY26.4985)50+ CNY22.260 (CNY25.1538)100+ CNY21.070 (CNY23.8091)更多价格信息... | 合计:CNY33.50 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.950 (CNY31.5835)10+ CNY21.110 (CNY23.8543)25+ CNY19.350 (CNY21.8655)50+ CNY18.440 (CNY20.8372)100+ CNY17.530 (CNY19.8089)更多价格信息... | 合计:CNY27.95 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY18.170 (CNY20.5321)250+ CNY16.720 (CNY18.8936)500+ CNY16.510 (CNY18.6563)1000+ CNY15.420 (CNY17.4246) | 合计:CNY1,817.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | WSOIC | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY33.500 (CNY37.855)10+ CNY25.480 (CNY28.7924)25+ CNY23.450 (CNY26.4985)50+ CNY22.260 (CNY25.1538)100+ CNY21.070 (CNY23.8091)更多价格信息... | 合计:CNY33.50 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY21.070 (CNY23.8091)250+ CNY19.550 (CNY22.0915)500+ CNY19.040 (CNY21.5152)1000+ CNY18.680 (CNY21.1084) | 合计:CNY2,107.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.950 (CNY32.7135)10+ CNY21.930 (CNY24.7809)25+ CNY20.130 (CNY22.7469)50+ CNY19.150 (CNY21.6395)100+ CNY18.170 (CNY20.5321)更多价格信息... | 合计:CNY28.95 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.950 (CNY31.5835)10+ CNY21.110 (CNY23.8543)25+ CNY19.350 (CNY21.8655)50+ CNY18.440 (CNY20.8372)100+ CNY17.530 (CNY19.8089)更多价格信息... | 合计:CNY27.95 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY21.070 (CNY23.8091)250+ CNY19.550 (CNY22.0915)500+ CNY19.040 (CNY21.5152)1000+ CNY18.530 (CNY20.9389) | 合计:CNY2,107.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.520 (CNY17.5376)10+ CNY10.450 (CNY11.8085)50+ CNY9.930 (CNY11.2209)100+ CNY9.400 (CNY10.622)250+ CNY8.850 (CNY10.0005)更多价格信息... | 合计:CNY15.52 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.760 (CNY26.8488)10+ CNY15.390 (CNY17.3907)50+ CNY14.510 (CNY16.3963)100+ CNY13.620 (CNY15.3906)250+ CNY12.980 (CNY14.6674)更多价格信息... | 合计:CNY23.76 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.340 (CNY13.9442)10+ CNY8.690 (CNY9.8197)50+ CNY8.580 (CNY9.6954)100+ CNY8.460 (CNY9.5598)250+ CNY8.390 (CNY9.4807)更多价格信息... | 合计:CNY12.34 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.310 (CNY17.3003)10+ CNY10.380 (CNY11.7294)50+ CNY9.830 (CNY11.1079)100+ CNY9.270 (CNY10.4751)250+ CNY8.770 (CNY9.9101)更多价格信息... | 合计:CNY15.31 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | - | 13引脚 | TFLGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.450 (CNY17.4585)10+ CNY10.450 (CNY11.8085)50+ CNY9.930 (CNY11.2209)100+ CNY9.400 (CNY10.622)250+ CNY8.850 (CNY10.0005)更多价格信息... | 合计:CNY15.45 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.320 (CNY19.5716)10+ CNY12.220 (CNY13.8086)50+ CNY11.430 (CNY12.9159)100+ CNY10.850 (CNY12.2605)250+ CNY10.310 (CNY11.6503)更多价格信息... | 合计:CNY17.32 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | - | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.430 (CNY21.9559)10+ CNY13.110 (CNY14.8143)50+ CNY12.430 (CNY14.0459)100+ CNY11.740 (CNY13.2662)250+ CNY11.050 (CNY12.4865)更多价格信息... | 合计:CNY19.43 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.150 (CNY18.2495)10+ CNY10.890 (CNY12.3057)50+ CNY10.320 (CNY11.6616)100+ CNY9.750 (CNY11.0175)250+ CNY9.220 (CNY10.4186)更多价格信息... | 合计:CNY16.15 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY17.530 (CNY19.8089)250+ CNY16.160 (CNY18.2608)500+ CNY15.930 (CNY18.0009)1000+ CNY15.620 (CNY17.6506) | 合计:CNY1,753.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY11.740 (CNY13.2662)250+ CNY11.050 (CNY12.4865)500+ CNY10.590 (CNY11.9667)1000+ CNY8.470 (CNY9.5711)2500+ CNY8.310 (CNY9.3903) | 合计:CNY1,174.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY17.530 (CNY19.8089)250+ CNY16.160 (CNY18.2608)500+ CNY15.850 (CNY17.9105)1000+ CNY14.780 (CNY16.7014) | 合计:CNY1,753.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY30.470 (CNY34.4311)10+ CNY23.080 (CNY26.0804)25+ CNY21.180 (CNY23.9334)50+ CNY20.150 (CNY22.7695)100+ CNY19.120 (CNY21.6056)更多价格信息... | 合计:CNY30.47 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY46.530 (CNY52.5789)10+ CNY30.700 (CNY34.691)25+ CNY26.590 (CNY30.0467)50+ CNY24.270 (CNY27.4251)100+ CNY21.940 (CNY24.7922)更多价格信息... | 合计:CNY46.53 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY22.400 (CNY25.312)250+ CNY21.250 (CNY24.0125)500+ CNY20.570 (CNY23.2441)1000+ CNY19.430 (CNY21.9559) | 合计:CNY2,240.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY21.870 (CNY24.7131)250+ CNY20.720 (CNY23.4136)500+ CNY19.120 (CNY21.6056)1000+ CNY17.140 (CNY19.3682) | 合计:CNY2,187.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | WSOIC | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY17.760 (CNY20.0688)250+ CNY15.770 (CNY17.8201)500+ CNY15.630 (CNY17.6619)1000+ CNY14.780 (CNY16.7014) | 合计:CNY1,776.00 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 38ns | 38ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY35.260 (CNY39.8438)10+ CNY26.820 (CNY30.3066)25+ CNY24.680 (CNY27.8884)50+ CNY23.540 (CNY26.6002)100+ CNY22.400 (CNY25.312)更多价格信息... | 合计:CNY35.26 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | - | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | |||||
