栅极驱动器:
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包装
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1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.020 (CNY6.8026)250+ CNY5.670 (CNY6.4071)500+ CNY5.320 (CNY6.0116)1000+ CNY4.050 (CNY4.5765)2500+ CNY3.730 (CNY4.2149) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY9.210 (CNY10.4073)10+ CNY7.880 (CNY8.9044)50+ CNY6.960 (CNY7.8648)100+ CNY6.020 (CNY6.8026)250+ CNY5.670 (CNY6.4071)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | - | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.010 (CNY12.4413)10+ CNY6.750 (CNY7.6275)100+ CNY4.310 (CNY4.8703)500+ CNY3.280 (CNY3.7064)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | - | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.310 (CNY4.8703)500+ CNY3.770 (CNY4.2601)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222)2500+ CNY2.710 (CNY3.0623) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | - | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | |||||
DIODES INC. | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY24.940 (CNY28.1822)10+ CNY16.280 (CNY18.3964)50+ CNY13.940 (CNY15.7522)100+ CNY11.580 (CNY13.0854)250+ CNY11.430 (CNY12.9159)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.5A | 2.5A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 105ns | 94ns | ||||
DIODES INC. | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY16.280 (CNY18.3964)50+ CNY13.940 (CNY15.7522)100+ CNY11.580 (CNY13.0854)250+ CNY11.430 (CNY12.9159)500+ CNY11.340 (CNY12.8142)更多价格信息... | 最少:10 / 多个:1 | 2放大器 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 2.5A | 2.5A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 105ns | 94ns |