栅极驱动器:
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包装
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1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY8.000 (CNY9.040)10+ CNY5.210 (CNY5.8873)100+ CNY4.390 (CNY4.9607)500+ CNY4.220 (CNY4.7686)1000+ CNY4.060 (CNY4.5878)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | - | 半桥 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY7.130 (CNY8.0569)10+ CNY4.620 (CNY5.2206)50+ CNY4.340 (CNY4.9042)100+ CNY4.060 (CNY4.5878)250+ CNY4.030 (CNY4.5539)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.390 (CNY4.9607)500+ CNY4.220 (CNY4.7686)1000+ CNY4.060 (CNY4.5878)2500+ CNY3.920 (CNY4.4296)5000+ CNY3.780 (CNY4.2714) | 最少:100 / 多个:1 | 2放大器 | - | 半桥 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.870 (CNY4.3731)500+ CNY3.710 (CNY4.1923)1000+ CNY3.570 (CNY4.0341)2500+ CNY3.480 (CNY3.9324)5000+ CNY3.380 (CNY3.8194) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY7.260 (CNY8.2038)10+ CNY4.690 (CNY5.2997)100+ CNY3.870 (CNY4.3731)500+ CNY3.710 (CNY4.1923)1000+ CNY3.570 (CNY4.0341)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.060 (CNY4.5878)250+ CNY4.030 (CNY4.5539)500+ CNY4.000 (CNY4.520)1000+ CNY3.970 (CNY4.4861)2500+ CNY3.940 (CNY4.4522) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.720 (CNY13.2436)10+ CNY10.280 (CNY11.6164)100+ CNY8.840 (CNY9.9892)250+ CNY8.330 (CNY9.4129) | 最少:1 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 350mA | 650mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 250+ CNY8.330 (CNY9.4129) | 最少:500 / 多个:1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 350mA | 650mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY8.670 (CNY9.7971)500+ CNY7.710 (CNY8.7123)2500+ CNY7.700 (CNY8.701)5000+ CNY7.690 (CNY8.6897)7500+ CNY7.680 (CNY8.6784) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | AEC-Q100 | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY20.690 (CNY23.3797)10+ CNY13.070 (CNY14.7691)100+ CNY8.670 (CNY9.7971)500+ CNY7.710 (CNY8.7123)2500+ CNY7.700 (CNY8.701)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | AEC-Q100 | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY10.540 (CNY11.9102)10+ CNY6.770 (CNY7.6501)100+ CNY5.260 (CNY5.9438) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY5.260 (CNY5.9438) | 最少:500 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
每个 | 1+ CNY21.880 (CNY24.7244)10+ CNY17.370 (CNY19.6281)25+ CNY16.560 (CNY18.7128)50+ CNY15.890 (CNY17.9557)100+ CNY15.210 (CNY17.1873)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | DIP | 通孔安装 | 非反向 | 290mA | 600mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | - | |||||
每个 | 1+ CNY27.230 (CNY30.7699)10+ CNY16.930 (CNY19.1309)25+ CNY13.670 (CNY15.4471)50+ CNY13.000 (CNY14.690)100+ CNY12.600 (CNY14.238)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | - | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 4A | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 150ns | 150ns | AEC-Q100 |