栅极驱动器:
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包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.990 (CNY4.5087)500+ CNY3.430 (CNY3.8759)1000+ CNY3.150 (CNY3.5595)2500+ CNY2.700 (CNY3.051)5000+ CNY2.510 (CNY2.8363) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 500mA | 500mA | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 125ns | 125ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.840 (CNY13.3792)10+ CNY6.070 (CNY6.8591)100+ CNY3.990 (CNY4.5087)500+ CNY3.570 (CNY4.0341)1000+ CNY3.150 (CNY3.5595)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 500mA | 500mA | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 125ns | 125ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.840 (CNY13.3792)10+ CNY6.070 (CNY6.8591)100+ CNY3.990 (CNY4.5087)500+ CNY3.570 (CNY4.0341)1000+ CNY3.150 (CNY3.5595)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1.5A | 1.5A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 75ns | 75ns | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY11.010 (CNY12.4413)10+ CNY6.750 (CNY7.6275)100+ CNY4.310 (CNY4.8703)500+ CNY3.280 (CNY3.7064)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.310 (CNY4.8703)500+ CNY3.770 (CNY4.2601)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222)2500+ CNY2.710 (CNY3.0623) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1A | 1A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 105ns | 105ns | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.990 (CNY4.5087)500+ CNY3.570 (CNY4.0341)1000+ CNY3.150 (CNY3.5595)2500+ CNY2.700 (CNY3.051)5000+ CNY2.510 (CNY2.8363) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 1.5A | 1.5A | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 75ns | 75ns |