EiceDRIVER 1ED 栅极驱动器:
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比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||
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单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY10.330 (CNY11.6729) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 1+ CNY10.330 (CNY11.6729) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | WSOIC | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY19.910 (CNY22.4983)10+ CNY17.530 (CNY19.8089)25+ CNY16.680 (CNY18.8484)50+ CNY15.810 (CNY17.8653)100+ CNY14.950 (CNY16.8935)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY20.060 (CNY22.6678)10+ CNY15.650 (CNY17.6845)25+ CNY14.550 (CNY16.4415)50+ CNY13.930 (CNY15.7409)100+ CNY13.310 (CNY15.0403)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY52.330 (CNY59.1329)10+ CNY40.440 (CNY45.6972)25+ CNY37.430 (CNY42.2959)50+ CNY35.790 (CNY40.4427)100+ CNY34.120 (CNY38.5556)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY37.020 (CNY41.8326)10+ CNY27.910 (CNY31.5383)25+ CNY25.860 (CNY29.2218)50+ CNY24.760 (CNY27.9788)100+ CNY23.660 (CNY26.7358)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY22.850 (CNY25.8205)10+ CNY17.120 (CNY19.3456)25+ CNY15.720 (CNY17.7636)50+ CNY14.920 (CNY16.8596)100+ CNY14.110 (CNY15.9443)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY19.320 (CNY21.8316)10+ CNY13.220 (CNY14.9386)50+ CNY12.530 (CNY14.1589)100+ CNY11.840 (CNY13.3792)250+ CNY11.170 (CNY12.6221)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY31.490 (CNY35.5837)10+ CNY22.130 (CNY25.0069)25+ CNY21.710 (CNY24.5323) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.120 (CNY13.6956)250+ CNY11.760 (CNY13.2888)500+ CNY11.320 (CNY12.7916)1000+ CNY10.940 (CNY12.3622)2500+ CNY10.550 (CNY11.9215) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | WSOIC | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY13.310 (CNY15.0403)250+ CNY13.220 (CNY14.9386)500+ CNY12.710 (CNY14.3623)1000+ CNY12.180 (CNY13.7634) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | WSOIC | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY18.360 (CNY20.7468)10+ CNY13.520 (CNY15.2776)50+ CNY12.830 (CNY14.4979)100+ CNY12.120 (CNY13.6956)250+ CNY11.760 (CNY13.2888)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.510 (CNY3.9663)500+ CNY3.390 (CNY3.8307)1000+ CNY3.290 (CNY3.7177)2500+ CNY3.260 (CNY3.6838)5000+ CNY3.220 (CNY3.6386) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | XFDFN | 6引脚 | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.420 (CNY14.0346)250+ CNY11.910 (CNY13.4583)500+ CNY11.540 (CNY13.0402)1000+ CNY11.380 (CNY12.8594)2500+ CNY11.200 (CNY12.656) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | SOIC | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 10A | 10A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY18.890 (CNY21.3457)10+ CNY13.670 (CNY15.4471)50+ CNY13.050 (CNY14.7465)100+ CNY12.420 (CNY14.0346)250+ CNY11.910 (CNY13.4583)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 10A | 10A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY11.840 (CNY13.3792)250+ CNY11.170 (CNY12.6221)500+ CNY10.740 (CNY12.1362)1000+ CNY10.290 (CNY11.6277)2500+ CNY10.280 (CNY11.6164) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | SOIC | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY6.030 (CNY6.8139)10+ CNY4.100 (CNY4.633)100+ CNY3.510 (CNY3.9663)500+ CNY3.390 (CNY3.8307)1000+ CNY3.290 (CNY3.7177)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | - | 6引脚 | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY14.950 (CNY16.8935)250+ CNY14.220 (CNY16.0686)500+ CNY13.080 (CNY14.7804) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | WSOIC | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 25+ CNY21.710 (CNY24.5323) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY19.320 (CNY21.8316)10+ CNY13.220 (CNY14.9386)50+ CNY12.530 (CNY14.1589)100+ CNY11.840 (CNY13.3792)250+ CNY11.170 (CNY12.6221)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY14.110 (CNY15.9443)250+ CNY13.380 (CNY15.1194)500+ CNY12.940 (CNY14.6222)1000+ CNY12.370 (CNY13.9781) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY23.660 (CNY26.7358)250+ CNY22.490 (CNY25.4137)500+ CNY21.750 (CNY24.5775)1000+ CNY21.210 (CNY23.9673) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY11.840 (CNY13.3792)250+ CNY11.170 (CNY12.6221)500+ CNY10.810 (CNY12.2153)1000+ CNY10.540 (CNY11.9102)2500+ CNY10.280 (CNY11.6164) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY34.120 (CNY38.5556)250+ CNY32.590 (CNY36.8267)500+ CNY31.640 (CNY35.7532) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 包装选项 | 1+ CNY22.850 (CNY25.8205)10+ CNY17.490 (CNY19.7637)25+ CNY15.580 (CNY17.6054)50+ CNY15.000 (CNY16.950)100+ CNY14.410 (CNY16.2833)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED |