EiceDRIVER 1ED 栅极驱动器:
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比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||
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INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY37.090 (CNY41.9117)10+ CNY29.170 (CNY32.9621)25+ CNY27.180 (CNY30.7134)50+ CNY26.160 (CNY29.5608)100+ CNY25.130 (CNY28.3969)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY25.130 (CNY28.3969)250+ CNY24.100 (CNY27.233)500+ CNY23.870 (CNY26.9731) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY23.240 (CNY26.2612)10+ CNY17.420 (CNY19.6846)25+ CNY15.990 (CNY18.0687)50+ CNY15.170 (CNY17.1421)100+ CNY14.350 (CNY16.2155)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY10.480 (CNY11.8424) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY19.910 (CNY22.4983)10+ CNY17.530 (CNY19.8089)25+ CNY16.680 (CNY18.8484)50+ CNY15.810 (CNY17.8653)100+ CNY14.950 (CNY16.8935)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY20.060 (CNY22.6678)10+ CNY15.650 (CNY17.6845)25+ CNY14.550 (CNY16.4415)50+ CNY13.930 (CNY15.7409)100+ CNY13.310 (CNY15.0403)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY52.330 (CNY59.1329)10+ CNY40.440 (CNY45.6972)25+ CNY37.430 (CNY42.2959)50+ CNY35.790 (CNY40.4427)100+ CNY34.120 (CNY38.5556)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY37.640 (CNY42.5332)10+ CNY28.760 (CNY32.4988)25+ CNY26.510 (CNY29.9563)50+ CNY25.290 (CNY28.5777)100+ CNY24.060 (CNY27.1878)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY23.240 (CNY26.2612)10+ CNY17.420 (CNY19.6846)25+ CNY15.990 (CNY18.0687)50+ CNY15.170 (CNY17.1421)100+ CNY14.350 (CNY16.2155)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY19.650 (CNY22.2045)10+ CNY13.460 (CNY15.2098)50+ CNY12.750 (CNY14.4075)100+ CNY12.040 (CNY13.6052)250+ CNY11.370 (CNY12.8481)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY29.920 (CNY33.8096)10+ CNY21.030 (CNY23.7639)25+ CNY20.920 (CNY23.6396) | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 1+ CNY10.480 (CNY11.8424) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY16.800 (CNY18.984)10+ CNY11.880 (CNY13.4244)50+ CNY11.540 (CNY13.0402)100+ CNY11.200 (CNY12.656)250+ CNY11.080 (CNY12.5204)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY11.200 (CNY12.656)250+ CNY11.080 (CNY12.5204)500+ CNY10.950 (CNY12.3735)1000+ CNY10.820 (CNY12.2266)2500+ CNY10.680 (CNY12.0684) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY13.310 (CNY15.0403)250+ CNY13.220 (CNY14.9386)500+ CNY12.710 (CNY14.3623)1000+ CNY12.180 (CNY13.7634) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.510 (CNY3.9663)500+ CNY3.390 (CNY3.8307)1000+ CNY3.290 (CNY3.7177)2500+ CNY3.260 (CNY3.6838)5000+ CNY3.220 (CNY3.6386) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 6引脚 | XFDFN | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY14.350 (CNY16.2155)250+ CNY13.910 (CNY15.7183)500+ CNY13.600 (CNY15.368)1000+ CNY12.480 (CNY14.1024) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.790 (CNY14.4527)250+ CNY12.180 (CNY13.7634)500+ CNY11.820 (CNY13.3566)1000+ CNY11.140 (CNY12.5882)2500+ CNY10.970 (CNY12.3961) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | 10A | 10A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
INFINEON | 单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY19.870 (CNY22.4531)10+ CNY14.120 (CNY15.9556)50+ CNY13.460 (CNY15.2098)100+ CNY12.790 (CNY14.4527)250+ CNY12.180 (CNY13.7634)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 10A | 10A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.040 (CNY13.6052)250+ CNY11.370 (CNY12.8481)500+ CNY11.210 (CNY12.6673)1000+ CNY9.950 (CNY11.2435)2500+ CNY9.760 (CNY11.0288) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY6.030 (CNY6.8139)10+ CNY4.100 (CNY4.633)100+ CNY3.510 (CNY3.9663)500+ CNY3.390 (CNY3.8307)1000+ CNY3.290 (CNY3.7177)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, IGBT, MOSFET | 6引脚 | - | XFDFN | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 4.5V | 20V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 25+ CNY20.920 (CNY23.6396) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | ||||
单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 100+ CNY14.950 (CNY16.8935)250+ CNY14.220 (CNY16.0686)500+ CNY13.080 (CNY14.7804) | 最少:100 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
单件(切割供应) 切割卷带 | 1+ CNY19.650 (CNY22.2045)10+ CNY13.150 (CNY14.8595)50+ CNY12.600 (CNY14.238)100+ CNY12.040 (CNY13.6052)250+ CNY11.370 (CNY12.8481)更多价格信息... | 最少:1 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | |||||
INFINEON | 单件(切割供应) 复卷 包装选项 | 10+ CNY40.440 (CNY45.6972)25+ CNY37.430 (CNY42.2959)50+ CNY35.790 (CNY40.4427)100+ CNY34.120 (CNY38.5556)250+ CNY32.590 (CNY36.8267)更多价格信息... | 最少:10 / 多个:1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED |