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栅极驱动器:
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包装
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| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY37.120 (CNY41.9456)10+ CNY24.650 (CNY27.8545)25+ CNY24.200 (CNY27.346)50+ CNY20.880 (CNY23.5944)100+ CNY17.560 (CNY19.8428)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET | 24引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 175mA | 1.4A | 3V | 58V | -40°C | 150°C | 4µs | 4µs | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY17.560 (CNY19.8428)250+ CNY17.110 (CNY19.3343)500+ CNY16.660 (CNY18.8258)1000+ CNY15.320 (CNY17.3116) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET | 24引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 175mA | 1.4A | 3V | 58V | -40°C | 150°C | 4µs | 4µs | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY45.340 (CNY51.2342)10+ CNY33.850 (CNY38.2505)25+ CNY31.430 (CNY35.5159)50+ CNY29.630 (CNY33.4819)100+ CNY27.820 (CNY31.4366)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | PWM | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.090 (CNY26.0917)10+ CNY15.810 (CNY17.8653)25+ CNY15.220 (CNY17.1986)50+ CNY14.620 (CNY16.5206)100+ CNY14.020 (CNY15.8426)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.830 (CNY24.6679)10+ CNY18.520 (CNY20.9276)25+ CNY17.710 (CNY20.0123)50+ CNY16.890 (CNY19.0857)100+ CNY16.080 (CNY18.1704)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 35ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY14.020 (CNY15.8426)250+ CNY13.170 (CNY14.8821)500+ CNY12.640 (CNY14.2832)1000+ CNY12.040 (CNY13.6052) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | 16引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY16.080 (CNY18.1704)250+ CNY15.280 (CNY17.2664)500+ CNY13.690 (CNY15.4697)1000+ CNY11.580 (CNY13.0854) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | 16引脚 | NSOIC | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 35ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY35.620 (CNY40.2506)10+ CNY30.180 (CNY34.1034)25+ CNY26.190 (CNY29.5947)100+ CNY22.190 (CNY25.0747)300+ CNY20.170 (CNY22.7921)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 35ns | 35ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.100 (CNY22.713)10+ CNY13.740 (CNY15.5262)50+ CNY13.040 (CNY14.7352)100+ CNY12.330 (CNY13.9329)250+ CNY11.650 (CNY13.1645)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 9A | 18A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 110ns | 110ns | EiceDRIVER 1ED32xxMC12H | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY12.330 (CNY13.9329)250+ CNY11.650 (CNY13.1645)500+ CNY11.290 (CNY12.7577)1000+ CNY10.980 (CNY12.4074)2500+ CNY10.670 (CNY12.0571) | 最少：100 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 9A | 18A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 110ns | 110ns | EiceDRIVER 1ED32xxMC12H | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.760 (CNY26.8488)10+ CNY21.300 (CNY24.069)25+ CNY20.140 (CNY22.7582)50+ CNY18.800 (CNY21.244)100+ CNY17.460 (CNY19.7298)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | GaN HEMT | 13引脚 | - | LGA | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY40.060 (CNY45.2678)10+ CNY28.720 (CNY32.4536)98+ CNY27.410 (CNY30.9733)196+ CNY26.110 (CNY29.5043)294+ CNY25.850 (CNY29.2105)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 0 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | CMOS | 4A | 4A | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 46ns | 46ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY16.510 (CNY18.6563)500+ CNY16.390 (CNY18.5207)1000+ CNY16.250 (CNY18.3625)2000+ CNY16.120 (CNY18.2156)3000+ CNY15.990 (CNY18.0687) | 最少：100 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY36.070 (CNY40.7591)10+ CNY21.740 (CNY24.5662)100+ CNY16.510 (CNY18.6563)500+ CNY16.390 (CNY18.5207)1000+ CNY16.250 (CNY18.3625)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | - | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY41.190 (CNY46.5447)10+ CNY27.320 (CNY30.8716)25+ CNY25.910 (CNY29.2783)50+ CNY25.350 (CNY28.6455) | 最少：1 / 多个：1 | - | - | 半桥 | MOSFET | 48引脚 | - | LQFP | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 90ns | 90ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.130 (CNY25.0069)10+ CNY15.320 (CNY17.3116)25+ CNY14.830 (CNY16.7579)50+ CNY14.320 (CNY16.1816)100+ CNY13.820 (CNY15.6166)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 350mA | 350mA | 3V | 36V | -40°C | 125°C | 1.5ns | - | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.640 (CNY14.2832)10+ CNY8.530 (CNY9.6389)50+ CNY8.050 (CNY9.0965)100+ CNY7.570 (CNY8.5541)250+ CNY7.090 (CNY8.0117)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.810 (CNY13.3453)10+ CNY8.300 (CNY9.379)50+ CNY7.960 (CNY8.9948)100+ CNY7.620 (CNY8.6106)250+ CNY7.210 (CNY8.1473)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN功率器件 | 8引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1EDBx275F | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY47.790 (CNY54.0027)10+ CNY36.520 (CNY41.2676)25+ CNY33.690 (CNY38.0697)50+ CNY32.110 (CNY36.2843)100+ CNY30.540 (CNY34.5102)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.270 (CNY21.7751)10+ CNY12.930 (CNY14.6109)50+ CNY12.370 (CNY13.9781)100+ CNY11.810 (CNY13.3453)250+ CNY11.130 (CNY12.5769)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | 13引脚 | - | LGA | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.540 (CNY17.5602)10+ CNY13.230 (CNY14.9499)25+ CNY12.640 (CNY14.2832)50+ CNY12.170 (CNY13.7521) | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER | - | |||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY52.330 (CNY59.1329)10+ CNY40.440 (CNY45.6972)25+ CNY37.430 (CNY42.2959)50+ CNY35.790 (CNY40.4427)100+ CNY34.120 (CNY38.5556)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | - | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY39.150 (CNY44.2395)10+ CNY29.900 (CNY33.787)25+ CNY27.630 (CNY31.2219)50+ CNY26.340 (CNY29.7642)100+ CNY25.060 (CNY28.3178)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | - | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.830 (CNY24.6679)10+ CNY18.060 (CNY20.4078)25+ CNY17.400 (CNY19.662)50+ CNY16.740 (CNY18.9162)100+ CNY16.080 (CNY18.1704)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | 16引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY39.460 (CNY44.5898)10+ CNY27.650 (CNY31.2445)25+ CNY24.560 (CNY27.7528)100+ CNY21.460 (CNY24.2498)300+ CNY20.020 (CNY22.6226)更多价格信息... | 最少：1 / 多个：1 | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, SiC MOSFET | 8引脚 | - | NSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 35ns | 35ns | - | - | |||||
