打印页面
2N7002-7-F
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, 表面安装
280,786 有货
需要更多？
830 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
6180 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
229360 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
44416 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY0.670 (CNY0.7571) |
| 50+ | CNY0.508 (CNY0.574) |
| 100+ | CNY0.346 (CNY0.391) |
| 500+ | CNY0.258 (CNY0.2915) |
| 1500+ | CNY0.253 (CNY0.2859) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
CNY3.35 (CNY3.79 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号2N7002-7-F
库存编号1713823
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续115mA
漏源接通状态电阻13.5ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散300mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管, 带镀雾锡端子. 该端子符合MIL-STD-202, method 208焊接标准. 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS (on)), 同时保持卓越的开关性能, 使其成为高效率电源管理应用的理想选择. 外壳由模制塑料“绿色”模塑料 (UL94V-0)制成.
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 无卤素, 无锑
- 绿色设备
- 符合AEC-Q101标准, 高可靠性
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
115mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
13.5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
2N7002-7-F 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008