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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMHC6A07T8TA
库存编号7565020RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续1.8A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道1.8A
在电阻RDS(上)1.5ohm
连续漏极电流 Id P沟道1.8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道1.5ohm
漏源导通电阻P沟道1.5ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.7W
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXMHC6A07T8TA is a 60V Enhancement Mode H-bridge MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
1.8A
连续漏极电流 Id N沟道
1.8A
连续漏极电流 Id P沟道
1.8A
漏源通态电阻N沟道
1.5ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
1.7W
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS(上)
1.5ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1.5ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454