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ZXMHC6A07T8TA
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMHC6A07T8TA
库存编号7565020
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道1.8A
连续漏极电流 Id P沟道1.8A
漏源通态电阻N沟道1.5ohm
漏源导通电阻P沟道1.5ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.7W
耗散功率P沟道1.7W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The ZXMHC6A07T8TA is a 60V Enhancement Mode H-bridge MOSFET that utilizes a unique structure and combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes the MOSFET ideal for high efficiency, low voltage and power management applications.
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- UL94V-0 Flammability rating
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
1.8A
漏源导通电阻P沟道
1.5ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.7W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
1.8A
漏源通态电阻N沟道
1.5ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454