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FF2600UXTR33T2M1BPSA1
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号FF2600UXTR33T2M1BPSA1
库存编号4574879
产品范围XHP 2 Series
也称为FF2600UXTR33T2M1, SP005404848
技术数据表
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FF2600UXTR33T2M1BPSA1
库存编号4574879
产品范围XHP 2 Series
也称为FF2600UXTR33T2M1, SP005404848
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续720A
漏源电压, Vds3.3kV
漏源接通状态电阻0.0031ohm
晶体管封装类型Module
针脚数15引脚
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值5.55V
功率耗散20mW
工作温度最高值175°C
产品范围XHP 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI > 600, Rds(on) Test Voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
720A
漏源接通状态电阻
0.0031ohm
针脚数
15引脚
阈值栅源电压最大值
5.55V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
3.3kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
20mW
产品范围
XHP 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001