打印页面
IXTN110N20L2
晶体管, MOSFET, N通道, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY291.970 (CNY329.9261) |
| 5+ | CNY289.250 (CNY326.8525) |
| 10+ | CNY286.520 (CNY323.7676) |
| 50+ | CNY283.790 (CNY320.6827) |
| 100+ | CNY281.060 (CNY317.5978) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY291.97 (CNY329.93 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXTN110N20L2
库存编号3930140
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续100A
漏源电压, Vds200V
漏源接通状态电阻0.024ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散735W
工作温度最高值150°C
产品范围-
产品概述
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
200V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
735W
产品范围
-
电流, Id 连续
100A
漏源接通状态电阻
0.024ohm
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001