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MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F
FLASH MEMORY, 1GBIT, -40 TO 105DEG C
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.110 (CNY29.5043) |
| 10+ | CNY24.340 (CNY27.5042) |
| 25+ | CNY23.290 (CNY26.3177) |
| 50+ | CNY22.770 (CNY25.7301) |
| 100+ | CNY21.950 (CNY24.8035) |
| 250+ | CNY21.430 (CNY24.2159) |
| 500+ | CNY21.380 (CNY24.1594) |
| 1000+ | CNY21.140 (CNY23.8882) |
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F
库存编号4684142
闪存类型SLC NAND
存储密度1Gbit
记忆配置64M x 16bit
接口Parallel
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数63引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间25ns
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值1.95V
额定电源电压1.8V
芯片安装Surface Mount
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围1.8V Parallel NAND Flash Memories
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
64M x 16bit
IC 外壳 / 封装
VFBGA
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.8V Parallel NAND Flash Memories
存储密度
1Gbit
接口
Parallel
针脚数
63引脚
存取时间
25ns
电源电压最大值
1.95V
芯片安装
Surface Mount
工作温度最高值
105°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.148781