打印页面
595 有货
需要更多?
595 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY626.080 (CNY707.4704) |
5+ | CNY603.790 (CNY682.2827) |
10+ | CNY587.530 (CNY663.9089) |
25+ | CNY571.350 (CNY645.6255) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY626.08 (CNY707.47 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT53E1G64D4NW-046 WT:C
库存编号3861304
DRAM类型Mobile LPDDR4
存储密度64Gbit
记忆配置1G x 64位
时钟频率最大值2.133GHz
IC 外壳 / 封装VFBGA
针脚数432引脚
额定电源电压1.1V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-25°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT53E1G64D4NW-046 WT:C is a mobile LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM. The 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8 banks.
- 16n prefetch DDR architecture, single-ended CK and DQS support
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, on-chip temperature sensor to control self-refresh rate
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin, 1 Gig x 64 configuration
- 432-ball VFBGA package
- Operating Temperature range from -25°C to +85°C
技术规格
DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置
1G x 64位
IC 外壳 / 封装
VFBGA
额定电源电压
1.1V
工作温度最小值
-25°C
产品范围
-
存储密度
64Gbit
时钟频率最大值
2.133GHz
针脚数
432引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.003629