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GNP2070TD-ZTR
氮化镓 (GaN)晶体管, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY100.120 (CNY113.1356) |
| 5+ | CNY80.780 (CNY91.2814) |
| 10+ | CNY63.430 (CNY71.6759) |
| 50+ | CNY58.640 (CNY66.2632) |
| 100+ | CNY53.530 (CNY60.4889) |
| 250+ | CNY52.460 (CNY59.2798) |
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产品信息
制造商ROHM
制造商产品编号GNP2070TD-ZTR
库存编号4633526
技术数据表
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续27A
漏源接通状态电阻0.098ohm
栅极电荷(典型值)5.2nC
晶体管封装类型TOLL
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
产品概述
GNP2070TD-ZTR is a 650V GaN HEMT which has achieved the industry's highest class FOM (Ron*Ciss, Ron*Coss). It is a product of the EcoGaN™ series that contributes to power conversion efficiency and size reduction by making the best use of low ON resistance and high-speed switching. ESD protection function is built in for high-reliability design. In addition, the highly versatile packages provide excellent heat dissipation and facilitates mounting. Suitable for high switching frequency converter and high density converter applications.
- 650V E-mode GaN HEMT
- 70mohm resistance and 5.2nC gate charge
- 27A Ids, 6.5V Vgs rating
- 0.098ohm drain source on state resistance
- 53A ID,pulse
- 800V transient drain to source voltage
- 8.5V transient gate to source voltage
- 159W power dissipation at Tc= 25°C
- 8 pin TOLL package, operation temperature Tj range from -55 to 150°C
- Dimension is 11.68mm x 9.9mm x 2.4mm (W (Typ) x D (Typ) x H (Max))
技术规格
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.098ohm
晶体管封装类型
TOLL
针脚数
8引脚
合规
-
电流, Id 连续
27A
栅极电荷(典型值)
5.2nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001