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STW69N65M5
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, 通孔
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| 100+ | CNY62.810 (CNY70.9753) |
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产品信息
制造商产品编号STW69N65M5
库存编号2341734
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续58A
漏源接通状态电阻0.037ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散330W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The STW69N65M5 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Worldwide best RDS (ON) area
- Higher VDSS rating and high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
58A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.037ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003175