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CSD13202Q2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 22 A, 7500 µohm, WSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.390 (CNY6.0907) |
| 10+ | CNY3.280 (CNY3.7064) |
| 100+ | CNY3.090 (CNY3.4917) |
| 500+ | CNY2.880 (CNY3.2544) |
| 1000+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
| 5000+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
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产品信息
制造商产品编号CSD13202Q2
库存编号3125008
通道类型N通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续22A
漏源接通状态电阻7500µohm
晶体管封装类型WSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值800mV
功率耗散2.7W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
产品概述
The CSD13202Q2 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion and load management applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
22A
晶体管封装类型
WSON
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
7500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
800mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000027