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CSD16321Q5
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 100 A, 2400 µohm, SON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.590 (CNY21.0067) |
| 10+ | CNY11.890 (CNY13.4357) |
| 100+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 500+ | CNY6.750 (CNY7.6275) |
| 1000+ | CNY5.500 (CNY6.215) |
| 5000+ | CNY5.480 (CNY6.1924) |
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产品信息
制造商产品编号CSD16321Q5
库存编号3009640
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻2400µohm
晶体管封装类型SON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.1V
功率耗散3.1W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The CSD16321Q5 is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for point-of-load synchronous buck converter for applications in networking, telecom and computing systems, optimized for synchronous FET applications.
- Optimized for 5V gate drive
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SON
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
2400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009979