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CSD16323Q3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 60 A, 0.0044 ohm, SON, 表面安装
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| 500+ | CNY4.450 (CNY5.0285) |
| 1000+ | CNY4.020 (CNY4.5426) |
| 5000+ | CNY3.600 (CNY4.068) |
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产品信息
制造商产品编号CSD16323Q3
库存编号3009642
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻0.0044ohm
晶体管封装类型SON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.1V
功率耗散3W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The CSD16323Q3 is a 25V N-channel NexFET™ Power MOSFET with low thermal resistance and optimized for 5V gate drive. It is been designed to minimize losses in power conversion and optimized for control or synchronous FET applications. Suitable for point of load synchronous buck converter for applications in networking, telecom and computing systems.
- Ultra low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Optimized for 5V gate drive
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
SON
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.0044ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001