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CSD18509Q5BT
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, 表面安装
产品信息
制造商产品编号CSD18509Q5BT
库存编号3009659RL
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.001ohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散195W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The CSD18509Q5BT is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in DC-to-DC conversion, secondary side synchronous rectifier and battery motor control applications.
- Ultra-low ON-resistance
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- Logic level
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
195W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.001ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423190
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005