打印页面
CSD19532Q5B
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 A, 0.004 ohm, VSON, 表面安装
产品信息
制造商产品编号CSD19532Q5B
库存编号3125059
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.004ohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.6V
功率耗散3.1W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The CSD19532Q5B is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in synchronous rectifier for offline and isolated DC-to-DC converter applications.
- Low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.004ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
产品范围
-
CSD19532Q5B 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000345