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CSD19533Q5A
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, SON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.420 (CNY14.0346) |
| 10+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 100+ | CNY6.520 (CNY7.3676) |
| 500+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
| 1000+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
| 5000+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
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产品信息
制造商产品编号CSD19533Q5A
库存编号3009675
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.0078ohm
晶体管封装类型SON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散3.2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The CSD19533Q5A is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in primary side telecom and secondary-side synchronous rectifier applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0078ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000131