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CSD19537Q3T
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 50 A, 0.0121 ohm, VSON, 表面安装
产品信息
制造商产品编号CSD19537Q3T
库存编号3125064RL
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0121ohm
晶体管封装类型VSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散83W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
VSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0121ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363