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CSD23202W10T
功率场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, 表面安装
产品概述
The CSD23202W10T is a NexFET™ P-channel Power MOSFET designed to deliver the lowest ON-resistance and gate charge in a small 1 × 1mm outline. It has excellent thermal characteristics in an ultra-low profile.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low profile 0.62mm height
- 3kV Gate ESD protection
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
DSBGA
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.044ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005