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CSD86336Q3DT
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V
产品信息
制造商产品编号CSD86336Q3DT
库存编号2860282RL
产品范围NexFET Series
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续-
连续漏极电流 Id N沟道-
在电阻RDS（上）-
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压-
晶体管封装类型VSON
阈值栅源电压最大值1.5V
功耗 Pd6W
产品范围NexFET Series
合规-
汽车质量标准-
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
电流, Id 连续
-
在电阻RDS（上）
-
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
VSON
功耗 Pd
6W
合规
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
25V
连续漏极电流 Id N沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
Rds(on)测试电压
-
阈值栅源电压最大值
1.5V
产品范围
NexFET Series
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012