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CSD87330Q3D
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.580 (CNY11.9554) |
| 10+ | CNY7.100 (CNY8.023) |
| 100+ | CNY5.780 (CNY6.5314) |
| 500+ | CNY5.680 (CNY6.4184) |
| 1000+ | CNY5.560 (CNY6.2828) |
| 5000+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商产品编号CSD87330Q3D
库存编号3009686
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管封装类型LSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道6W
耗散功率P沟道6W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The CSD87330Q3D is a Synchronous Buck NexFET™ Power Block optimized for synchronous buck applications offering high current, high efficiency and high frequency capability in a small 3.3x3.3mm outline. Optimized for 5V gate drive applications, this product offers a flexible solution capable of offering a high density power supply when paired with any 5Vgate drive from an external controller/driver.
- Half-bridge power block
- 90% System efficiency at 15A
- High frequency operation (up to 1.5MHz)
- High density
- Low switching losses
- Ultra low inductance package
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
6W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
晶体管封装类型
LSON
耗散功率N沟道
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002417