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产品信息
制造商产品编号LM5109ASD/NOPB
库存编号3118822
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装WSON
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流1A
灌电流1A
电源电压最小值8V
电源电压最大值14V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟32ns
输出延迟30ns
产品范围-
合规-
产品概述
The LM5109ASD/NOPB is a half-bridge high-voltage Gate Driver designed to drive both the high-side and the low-side N-channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90V. The outputs are independently controlled with TTL compatible input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails.
- Drives both a high-side and low-side N-channel MOSFET
- Independent TTL compatible inputs
- Supply rail under-voltage lockout protection
- Low power consumption
- Pin-compatible with ISL6700
- Drives 1000pF load with 15ns rise and fall time
- 108VDC Bootstrap supply voltage
- 2ns Typical excellent propagation delay matching
- Green product and no Sb/Br
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1A
电源电压最小值
8V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
32ns
产品范围
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
WSON
输入类型
非反向
灌电流
1A
电源电压最大值
14V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
30ns
合规
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.007486