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SN74LVC1G10DBVR
与非门, 74LVC1G10, 3输入, 32 mA, 1.65 V至5.5 V, SOT-23-6
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.500 (CNY1.695) |
| 10+ | CNY0.912 (CNY1.0306) |
| 100+ | CNY0.673 (CNY0.7605) |
| 500+ | CNY0.625 (CNY0.7062) |
| 1000+ | CNY0.576 (CNY0.6509) |
| 5000+ | CNY0.573 (CNY0.6475) |
| 10000+ | CNY0.570 (CNY0.6441) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商产品编号SN74LVC1G10DBVR
库存编号3120603
逻辑功能NAND门
元件数量单
输入数量3Inputs
针脚数6引脚
封装类型SOT-23
IC 外壳 / 封装SOT-23
产品范围-
逻辑芯片系列74LVC
电源电压最小值1.65V
电源电压最大值5.5V
施密特触发器输入无施密特触发器输入
输出电流32mA
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品概述
The SN74LVC1G10DBVR is a single 3-input positive-NAND Gate. The device performs the Boolean function Y = (A • B • C)\ or Y = A\ + B\ + C\ in positive logic. This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.
- ±24mA Output drive at 3.3V
- 10µA Maximum ICC low power consumption
- Inputs accept voltages to 5.5V
- Maximum tpd of 3.8ns at 3.3V
- Ioff supports live insertion, partial power down mode and back drive protection
- ESD protection exceeds JESD 22
- Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, Class II
- Provides down translation to VCC
- Green product and no Sb/Br
技术规格
逻辑功能
NAND门
输入数量
3Inputs
封装类型
SOT-23
产品范围
-
电源电压最小值
1.65V
施密特触发器输入
无施密特触发器输入
工作温度最小值
-40°C
元件数量
单
针脚数
6引脚
IC 外壳 / 封装
SOT-23
逻辑芯片系列
74LVC
电源电压最大值
5.5V
输出电流
32mA
工作温度最高值
85°C
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000064