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SQJB70EP-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 11.3 A, 11.3 A, 0.078 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJB70EP-T1_GE3
库存编号2772351RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续11.3A
漏源电压Vds P沟道100V
在电阻RDS（上）0.078ohm
连续漏极电流 Id N沟道11.3A
连续漏极电流 Id P沟道11.3A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.078ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.078ohm
阈值栅源电压最大值3V
晶体管封装类型PowerPAK SO
功耗 Pd27W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道27W
耗散功率P沟道27W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
11.3A
在电阻RDS（上）
0.078ohm
连续漏极电流 Id P沟道
11.3A
漏源通态电阻N沟道
0.078ohm
漏源导通电阻P沟道
0.078ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
27W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
11.3A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
功耗 Pd
27W
耗散功率N沟道
27W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000186