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11.3A 双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
漏源通态电阻N沟道
晶体管安装
漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
产品范围
合规
汽车质量标准
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY4.600 (CNY5.198)500+ CNY3.740 (CNY4.2262)1000+ CNY2.930 (CNY3.3109)5000+ CNY2.840 (CNY3.2092) | 最少：100 / 多个：1 | N沟道 | N通道 | 100V | 100V | 100V | 11.3A | 0.078ohm | 11.3A | 11.3A | 0.078ohm | 表面安装 | 0.078ohm | 10V | PowerPAK SO | 3V | 8引脚 | 27W | 27W | 27W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | AEC-Q101 | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY3.070 (CNY3.4691)500+ CNY2.750 (CNY3.1075)1000+ CNY2.430 (CNY2.7459)5000+ CNY2.420 (CNY2.7346) | 最少：100 / 多个：1 | P沟道 | P通道 | 60V | 60V | 60V | 11.3A | 0.036ohm | 11.3A | 11.3A | - | 表面安装 | 0.055ohm | 10V | SOIC | 3V | 8引脚 | 1.7W | 1.7W | 1.7W | 150°C | - | - | - | |||||
