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AS4C128M16D2A-25BCN
DRAM, DDR2, 2 Gbit, 128M x 16位, 400 MHz, FBGA, 84 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY85.430 (CNY96.5359) |
| 25+ | CNY82.060 (CNY92.7278) |
| 50+ | CNY80.800 (CNY91.304) |
| 100+ | CNY76.170 (CNY86.0721) |
| 250+ | CNY73.180 (CNY82.6934) |
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产品信息
制造商产品编号AS4C128M16D2A-25BCN
库存编号4260967
技术数据表
DRAM类型DDR2
存储密度2Gbit
记忆配置128M x 16位
时钟频率最大值400MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数84引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS4C128M16D2A-25BCN 2Gb DDR2 是一款高速 CMOS 双数据速率 2 (DDR2)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，在 16 位宽数据 I/O 中包含 2048 Mbits。它内部配置为 8 组 DRAM，8 组 x 16Mb 地址 x 16 个 I/O。该器件的设计符合 DDR2 DRAM 的主要特性，如具有加延迟的后置 CAS#、写延迟=读延迟-1、片外驱动器（OCD）阻抗调整和片上终止（ODT）。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。地址总线用于以 RAS #、CAS # 多路复用方式传输行、列和组地址信息。访问开始时，首先注册一条银行激活命令，然后是读取或写入命令。根据突发长度、CAS 延迟和设备的速度等级，可以实现有序和无间隙的数据传输速率。
- 符合 JEDEC 标准，JEDEC 标准 1.8V 输入/输出（兼容 SSTL-18）
- 电源： VDD 和 VDDQ=+1.8V ±0.1V
- 支持 JEDEC 时钟抖动规范，完全同步运行
- 差分时钟、CK 和 CK#，双向单/差分数据选通 - DQS 和 DQS#
- 时钟频率快： 400MHz，8 个内部时钟组可同时运行，具有自动刷新和自刷新功能
- 4 位预取架构、内部流水线架构、预充电和主动掉电
- 可编程模式和扩展模式寄存器，已发布 CAS# 附加延迟 (AL)：0、1、2、3、4、5
- 突发类型：连续/交错，DLL 启用/禁用，芯片上终止 (ODT)
- 片外驱动器 (OCD)、阻抗调整、可调数据输出驱动强度
- 128Mx 16 Org，商用温度范围 0°C 至 85°C，84-ball FBGA 封装
技术规格
DRAM类型
DDR2
记忆配置
128M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
存储密度
2Gbit
时钟频率最大值
400MHz
针脚数
84引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001785