AS4C128M8D3LC-12BCN

AS4C128M8D3LC-12BCN 1Gb 双数据速率-3L（DDR3L）DRAM 采用双数据速率架构，可实现高速运行。它内部配置为八组 DRAM。1Gb 芯片按 16Mbit x 8 I/O x 8 个存储组器件组织。这种同步器件可实现高达 1600Mb/sec/pin 的高速双数据率传输速率，适用于一般应用。该芯片的设计符合 DDR3L DRAM 的所有关键特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）锁存。所有 I/O 均以源同步方式与差分 DQS 对同步。

• 符合 JEDEC 标准，支持 JEDEC 时钟抖动规范
• 电源：VDD 和 VDDQ=+1.8V ±0.1V VDD 和 VDDQ=1.35V (1.283 至 1.45V)，向后兼容 VDD 和 VDDQ=1.5±0.075V
• 完全同步运行，快速时钟频率： 800MHz 差分时钟、CK 和 CK#
• 双向差分数据选通、DQS 和 DQS#，8 个内部组用于并发操作
• 8n-bit预取架构、流水线式内部架构
• 预充电和主动掉电、可编程模式和扩展模式寄存器
• 附加延迟：0、CL-1、CL-2，脉冲串类型：连续/交错，输出驱动器阻抗控制
• 自动刷新和自刷新、写均衡、ZQ 校准、动态 ODT（Rtt-Nom 和 Rtt-WR）
• 128M x 8 org，78-ball FBGA 封装
• 商业温度范围从0℃到95℃