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AS4C256M16D3C-12BIN
DRAM, DDR3, 4 Gbit, 256M x 16位, 800 MHz, FBGA, 96 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY63.610 (CNY71.8793) |
| 10+ | CNY62.980 (CNY71.1674) |
| 25+ | CNY62.340 (CNY70.4442) |
| 50+ | CNY61.700 (CNY69.721) |
| 100+ | CNY61.060 (CNY68.9978) |
| 250+ | CNY60.420 (CNY68.2746) |
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产品信息
制造商产品编号AS4C256M16D3C-12BIN
库存编号4260977
技术数据表
DRAM类型DDR3
存储密度4Gbit
记忆配置256M x 16位
时钟频率最大值800MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数96引脚
额定电源电压1.5V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS4C256M16D3C-12BIN 是一款 256M x 16 位 DDR3 同步 DRAM（SDRAM）。4Gb 双数据速率-3 DRAM 采用双数据速率架构，可实现高速运行。它内部配置为八组 DRAM。4Gb 芯片按 32Mbit x 16I/Os x 8 组器件组织。这种同步器件可实现高达 2133Mb/sec/pin 的高速双数据率传输速率，适用于一般应用。该芯片的设计符合所有 DDR3 DRAM 关键特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）锁存。所有 I/O 均以源同步方式与差分 DQS 对同步。
- 符合 JEDEC 标准，支持 JEDEC 时钟抖动规范
- 完全同步运行，差分时钟、CK 和 CK#
- 双向差分数据选通、DQS 和 DQS#
- 8 个内部并行操作库，8n 位预取结构
- 流水线内部结构、预充电和主动掉电
- 可编程模式和扩展模式寄存器，附加延迟 (AL)：0、CL-1、CL-2
- 可编程突发长度：4、8，脉冲串类型：连续/交错
- 输出驱动器阻抗控制、写均衡、ZQ 校准、自动刷新和自刷新
- 动态 ODT（Rtt-Nom 和 Rtt-WR），最大时钟频率 800MHz
- 96-ball FBGA封装，工业温度范围为-40°C至95°C
技术规格
DRAM类型
DDR3
记忆配置
256M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.5V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
4Gbit
时钟频率最大值
800MHz
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001568