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AS4C32M16D2A-25BCN
DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16位, 400 MHz, FBGA, 84 引脚
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|---|---|
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| 10+ | CNY28.730 (CNY32.4649) |
| 25+ | CNY28.070 (CNY31.7191) |
| 50+ | CNY25.610 (CNY28.9393) |
| 100+ | CNY23.140 (CNY26.1482) |
| 250+ | CNY23.020 (CNY26.0126) |
| 500+ | CNY22.890 (CNY25.8657) |
| 1000+ | CNY22.770 (CNY25.7301) |
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产品信息
制造商产品编号AS4C32M16D2A-25BCN
库存编号4260962
技术数据表
DRAM类型DDR2
存储密度512Mbit
记忆配置32M x 16位
时钟频率最大值400MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数84引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值0°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS4C32M16D2A-25BCN 是一款 32M x 16 位 DDR2 同步 DRAM (SDRAM)。它是一种高速 CMOS 双数据速率 2 (DDR2)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，在 16 位宽数据 I/O 中包含 512M 位。它内部配置为四组 DRAM，4 组 x 8Mb 地址 x 16 个 I/O。该器件的设计符合 DDR2 DRAM 的主要特性，如具有加法延迟的后置 CAS#、写延迟 = 读延迟 -1、片外驱动器 (OCD) 阻抗调整和裸片端接 (ODT)。所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）锁存。所有 I/O 均以源同步方式与一对双向选通（DQS 和 DQS#）同步。可启用自动预充电功能，在脉冲串序列结束时启动自定时行预充电。
- 符合 JEDEC 标准，JEDEC 标准 1.8V 输入/输出（兼容 SSTL-18）
- 电源：VDD 和 VDDQ = +1.8V ± 0.1V，64Mx16 org VDD 和 VDDQ = +1.8V ± 0.1V，8192 刷新周期/64ms，FBGA 封装
- 支持 JEDEC 时钟抖动规范，完全同步运行
- 差分时钟、CK 和 CK#，双向单/差分数据选通、DQS 和 DQS#
- 4 个内部并行操作库，4bit 取结构
- 预充电和主动掉电、可编程模式和扩展模式寄存器
- 已发布 CAS# 附加延迟 (AL)：0、1、2、3、4、5、6，写入延迟 = 读取延迟 - 1 tCK
- 突发长度：4 或 8，突发类型：连续/交错，DLL 启用/禁用
- 片外驱动器 (OCD)、阻抗调整、可调数据输出驱动强度
- 400MHz 时钟频率，800Mbps/针数据速率，工作温度： TC = 0 至 95°C
技术规格
DRAM类型
DDR2
记忆配置
32M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
0°C
产品范围
-
存储密度
512Mbit
时钟频率最大值
400MHz
针脚数
84引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001916