打印页面
AS4C512M16D3LB-12BIN
DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16位, 800 MHz, FBGA, 96 引脚
118 有货
需要更多？
118 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY237.220 (CNY268.0586) |
| 5+ | CNY228.370 (CNY258.0581) |
| 10+ | CNY219.520 (CNY248.0576) |
| 25+ | CNY211.380 (CNY238.8594) |
| 50+ | CNY184.500 (CNY208.485) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY237.22 (CNY268.06 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商产品编号AS4C512M16D3LB-12BIN
库存编号4260985
技术数据表
DRAM类型DDR3L
存储密度8Gbit
记忆配置512M x 16位
时钟频率最大值800MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数96引脚
额定电源电压1.35V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS4C512M16D3LB-12BIN 是一款 512M x 16 位 DDR3L 同步 DRAM（SDRAM）。8Gb 双数据速率-3L DRAM 采用双数据速率架构，可实现高速运行。它内部配置为八组 DRAM。8Gb 芯片的组织结构为 64Mbit x 16I/Os x 8 组器件。这种同步器件可实现高达 1600Mb/sec/pin 的高速双数据率传输速率，适用于一般应用。该芯片的设计符合 DDR3L DRAM 的所有关键特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）锁存。所有 I/O 均以源同步方式与差分 DQS 对同步。
- 符合 JEDEC 标准，支持 JEDEC 时钟抖动规范
- 电源： VDD 和 VDDQ = +1.35V, 向后兼容 VDD 和 VDDQ =+1.5V ±0.075V
- 完全同步运行，快速时钟速率： 800MHz
- 差分时钟、CK 和 CK#，双向差分数据选通、DQS 和 DQS#
- 8 个内部并行操作库，8n 位预取结构
- 流水线内部结构、预充电和主动掉电
- 可编程模式和扩展模式寄存器，加法延迟 (AL)：0、CL-1、CL-2
- 可编程突发长度：4、8，突发类型：连续/交错，输出驱动器阻抗控制
- 写入均衡、ZQ 校准、动态 ODT（Rtt-Nom 和 Rtt-WR）
- 96-ball FBGA封装，工业温度范围为-40°C至95°C
技术规格
DRAM类型
DDR3L
记忆配置
512M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.35V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
8Gbit
时钟频率最大值
800MHz
针脚数
96引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00189