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AS4C64M16D2A-25BIN
DRAM, DDR2, 1 Gbit, 64M x 16位, 400 MHz, FBGA, 84 引脚
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产品信息
制造商产品编号AS4C64M16D2A-25BIN
库存编号4260966
技术数据表
DRAM类型DDR2
存储密度1Gbit
记忆配置64M x 16位
时钟频率最大值400MHz
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数84引脚
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值95°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
AS4C64M16D2A-25BIN 是一款高速 CMOS 双数据速率 2 (DDR2)、同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，在 16 位宽数据 I/O 中包含 1024Mbits 数据。它内部配置为 8 组 DRAM，8 组 x 8Mb 地址 x 16 个 I/O。该器件的设计符合 DDR2 DRAM 的主要特性，如具有加法延迟的后置 CAS#、写延迟 = 读延迟 -1、片外驱动器 (OCD) 阻抗调整和芯片上终止 (ODT)。对 DDR2 SDRAM 的读写访问是 4 位或 8 位突发导向的；访问从选定位置开始，并按编程顺序持续访问一定数量的位置。以交错方式操作 8 个存储器组，可以比标准 DRAM 更高的速率进行随机存取操作。可启用自动预充电功能，在突发序列结束时启动自定时行预充电。
- 符合 JEDEC 标准，JEDEC 标准 1.8V 输入/输出（兼容 SSTL-18）
- 电源： VDD 和 VDDQ = +1.8V ± 0.1V，64Mx16 org
- 支持 JEDEC 时钟抖动规范，完全同步运行
- 快速时钟频率： 400MHz 差分时钟、CK 和 CK#、内部流水线结构
- 双向单/差分数据选通、DQS 和 DQS#，8192 刷新周期/64 ms
- 8 个内部并行操作库，4 位预取结构
- 预充电和主动掉电、可编程模式和扩展模式寄存器
- 已发布 CAS# 附加延迟 (AL)：0、1、2、3、4、5、6，写入延迟 = 读取延迟 - 1 tCK
- 突发长度：4 或 8，突发类型：连续/交错，DLL 启用/禁用
- 84-ball FBGA封装，工业温度范围为-40°C至+95°C
技术规格
DRAM类型
DDR2
记忆配置
64M x 16位
IC 外壳 / 封装
FBGA
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
存储密度
1Gbit
时钟频率最大值
400MHz
针脚数
84引脚
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
95°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001891